半导体靶材龙头，半导体靶材国产替代

此外，我们还想简单提一下石英。高纯石英产品主要包括石英坩埚（耐高温，可作为晶锭生产的载体）和光掩模等，是光伏、半导体领域不可或缺的产品。消耗品。由于半导体薄膜的性能与靶材的质量和纯度直接相关，因此高质量、高纯度的靶材对于生产高性能半导体器件至关重要。

在镀膜操作中，圆形永磁体在靶材表面产生的磁场是环形的，会造成不均匀的腐蚀。溅射薄膜厚度均匀性较差，靶材效率仅为20%~30%左右。熔炼铸造方法主要有真空感应熔炼、真空电弧熔炼、真空电子束熔炼等方法。将熔炼后的钢锭通过机械加工制成靶材。这种制造方法的优点是靶材杂质含量低、密度高、可使用。大规模的缺点是要求两种合金之间具有较高的密度相似性，并且难以实现均匀的成分。

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从竞争格局来看，高纯金属行业全球集中度较高。日本、美国等国家的高纯金属制造商依靠其提纯技术在整个产业链中占据有利地位。目标制造商受益于高质量的金属材料。拥有从纯化制备到靶材制造生产的完整技术垂直整合能力，掌控全球高端电子制造靶材主要市场。铝和铜是半导体生产的主流工艺。芯片生产的导电线路中既有铝线工艺，也有铜线工艺。一般来说，110nm晶圆技术节点以上都采用铝线和通道。

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半导体芯片行业使用的金属溅射靶材主要类型包括：铜、钽、铝、钛、钴、钨等高纯溅射靶材以及镍铂、钨钛等合金溅射靶材， ETC。至此，我们已经完成了半导体工艺材料的全部介绍。这是一个非常复杂的行业，细分领域是半导体子行业中最复杂的。在制备半导体薄膜时，利用这些靶材通过物理方法（如高能粒子轰击）产生蒸气或粒子束，然后凝聚在衬底表面形成薄膜。

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下游应用市场较为广阔，但总体主要集中在半导体、平板显示、信息存储、太阳能电池四大领域。四大板块占比约97%。具体来说，在半导体领域，石英材料主要应用于单晶硅晶圆制造和晶圆制造两个核心环节。 K是介电常数，用于衡量材料存储电荷（正电荷或负电子）的能力。高K前驱体用于高K金属栅（HKMG）薄膜沉积工艺的高K介质层；低K 前驱体在BEOL（集成电路的后端布线工艺）中用作金属连接之间的绝缘介质。

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粉末冶金主要有热等静压、热压、冷压烧结三种方法。靶材是将各种原料粉末混合，然后烧结成型而得到的。该方法的优点是靶材成分比较均匀，机械性能好，生产效率高，节省原材料成本。缺点是含氧量高、密度低。

在下游关键应用领域，2021年全球半导体目标为16.95亿美元，其中晶圆制造目标10.5亿美元，封装目标6.45亿美元； 2020年中国半导体/平板显示器/太阳能电池目标分别为10.5亿美元。 17/150/31.7亿元。